个人简介

        赵金石，工学博士，毕业于韩国首尔大学，现任天津理工大学集成电路科学与工程学院院长，兼任首尔大学兼职教授。现为天津市政协常委、西青区政协副主席，入选天津市高等学校学科领军人才，兼任天津市真空学会副理事长，中国电子学会高校电子信息学科建设推进委员会委员，并担任天津市创新人才推进计划重点领域团队负责人。
        曾在韩国三星电子半导体研究所和首尔大学半导体研究所从事科研工作，参与高集成度RRAM器件关键工艺研发，积累了丰富的国际化科研背景与产业协同研发经验。长期深耕于先进半导体器件与集成芯片技术领域，研究方向涵盖新型半导体存储器、类脑芯片、神经形态计算等前沿方向。
       主持和参与包括国家自然科学基金、天津市重大专项、天津市自然科学基金重点项目、韩国科技部重大专项在内的多项纵向科研课题；同时承担三星电子、海力士（Hynix）、JuSeng Engineering等企业委托的横向项目，具备产学研一体化组织实施能力。
       在《Advanced Functional Materials》、《Angewandte Chemie International Edition》、《Chemical Engineering Journal》、《ACS Applied Materials & Interfaces》、《Applied Physics Letters》等国际权威期刊发表SCI论文140余篇，论文被引累计逾2200次，H指数为25。已申请与授权国际/国内发明专利30余项，具备突出的原创技术创新与成果转化能力。致力于服务国家战略需求与地方产业发展，积极推动集成电路核心技术攻关与人才培养，为区域高端集成电路产业体系建设提供有力支撑。

科研项目

(1) 天津市科技计划项目重大专项与工程, 面向野战应用环境的一体化脉冲电场和强光消杀装备研制, 2018.10-2021.09, 200万元, 主持
(2) 天津市学科领军人才计划, 微纳半导体存储器研究, 2017,09-2020.08, 60万元, 主持
(3) 天津市自然科学基金委重点项目, 基于两种不同导电机理的多值阻变存储器研究, 2014.04-2017.03, 20万元, 主持
(4) 天津市科技局-京津冀自然科学基金合作专项，大模型赋能下基于工业互联网的设备预测性维护系统研究，2025.10-2028.9，60万元，主持
(5) N型光伏硅料低成本技术攻关，横向，2023.05-2023.09，800万元，主持
(6) 半导体硅材料光电性能开发，横向，2024.08-2027.07，500万元，主持
(7) 高效率低成本晶硅太阳能电池关键硅材料提纯、高效利用及循环再生技术研发，横向，2025.11-2028.10，500万，主持
(8) 多模态感知融合的无人机智能运维系统：故障诊断与自主充电协同优化，横向，2025.07-2-28.06，550万，主持

代表性论文

[1]Stabilization the Electrode/Electrolyte Interphase by Reconstructing the Solvation Structure of Eutectic-Based Polymer Electrolyte. Man Guo, Shilun Gao, Yingli Wang, Kai Liu, Jinshi Zhao*, Zixuan Zhang, Yiheng Li, Chunliang Li, Lianqi Zhang*. Advanced Functional Materials, 2026, 36.4: e09739.
[2]Jiang Feng, Jiaming Fan, Zijian Zhang, Yu Gao, Song Xue, Gangri Cai, and Jin Shi Zhao*. Spin‐coating deposited SnS2 thin film‐based memristor for emulating synapses. Advanced Functional Materials, 2024, 34.36: 2401228.
[3]Chen Li, Zhaokun Wang, Zuohang Li, Junshi Zhang, Su Wang, Yue Ma, Xixi Shi, Hongzhou Zhang, Dawei Song, Jinshi Zhao*, and Lianqi Zhang. Deep eutectic solvent binder facilitating reaction kinetics of lithium sulfur batteries. Angewandte Chemie International Edition, 2025, 64.39: e202516009.
[4]Zijian Zhang, Xiuyang Tang, Yu Gao, Xinming Ma, Kaihan Chang, Lipin Chen, Song Xue, Gangri Cai, and Jin Shi Zhao*. Liquid-phase deposited 2D SnS-SnS2 composite films for memristor and synapse emulation. Chemical Engineering Journal, 2025, 168557.
[5]Kai Niu, Xueting Du, Wei Mi, Di Wang, Lin'an He, Liwei Zhou, Yan Zhu, Juan Wang, Xingcheng Zhang, and Jinshi Zhao*. Fabrication and characterization of heteroepitaxial Zn2GeO4 films on sapphire via radio frequency magnetron sputtering. Applied Physics Letters, 2025, 126.3.
[6]Hanpeng Liu, Liang Wang, Lin'an He, Wei Mi, Di Wang, Liwei Zhou, Yan Zhu, Juan Wang, Xingcheng Zhang, Rongrong Chen, Kai Niu, Jinshi Zhao*. Preparation and characterization of zirconium-doped indium oxide conducting films with high infrared transparency. Applied Physics Letters, 2025, 127.23.
[7]Qing Li, Wei Mi, Di Wang, Rongrong Chen, Lin'an He, Yan Zhu, Juan Wang, Liwei Zhou, Yan Peng, Mingsheng Xu, Longfei Xiao, Xiaochen Ma, Xiaojie Qiao, Jinshi Zhao*. Low-temperature growth of β-Ga2O3 film on MgO (100) substrate by HVPE for solar-blind ultraviolet imaging photodetector array. Journal of Alloys and Compounds, 2025, 185150.
[8]Haoyu Xu, He Liu, Chenming Dong, Chunbo Li, Wei Mi, Di Wang, Linan He, Liwei Zhou, Jinshi Zhao*. Investigation of self-selective RRAM based on V/ITO structure with rapid thermal annealed ITO for synapse emulation. Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, 186: 109112.
[9]Jinpei Wang, Qing Li, Wei Mi, Di Wang, Mingsheng Xu, Longfei Xiao, Xingcheng Zhang, Chongbiao Luan, Jinshi Zhao*. Fast response self-powered solar-blind UV photodetector based on NiO/Ga2O3 pn junction. Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, 186: 109084.
[10]Solution-processed SnO2/SnS2 Bilayer-Based Robust Memristors for Reliable Neuromorphic Computing Xiuyang Tang, Xinming Ma, Sizhu Ha, Weifang Sun, Niwei He, Song Xue, Gangri Cai, Jin Shi Zhao*. Solution-processed SnO 2/SnS 2 bilayer-based robust memristors for reliable neuromorphic computing. Nanoscale Horizons, 2026.

专利专著

1. Jin Shi Zhao; Jang Eun Lee; In Gyu Baek; Se Chung Oh; Kyung Tae Nam; Eun Kyung Yim ;Semiconductor Devices Having Resistive Memory Element, 2008-9-4, 美国, US7838863B2.
2. Hong Sik Yoon; Jin Shi Zhao; In Gyu Baek; Hyun Jun Sim; Min Young Park ; Semiconductor Memory Device, 2010-6-24, 美国, US8581346B2.
3. Hong SiK Yoon; Jin Shi Zhao; In Gyu Baek; Hyun Jun Sim; Min Young Park ; Nonvlatile Memory Device, 2010-4-22, 美国, US8331152B2.
4. Hong Sik Yoon; Jin Shi Zhao; In Gyu Baek; Hyun Jun Sim; Min Young Park ; SemiconductorMemory Device, 2012-9-11, 美国, US8264018B2.
5. Jin Shi Zhao; Jang Eun Lee ; Bipolar Switching Type Nonvolatile Memory Device Having Tunneling Layer, 2008-2-26, 韩国, KR100809724.
6. 赵金石; 邵兴隆 ; 一种自发生长金属纳米晶颗粒的P／N 型叠 层阻变存储器, 2014-10-15, 中国,201210410617.1.
7. 赵金石; 邵兴隆; 马辰铭; 周立伟; 陈长军 ; 一种多阻态阻变存储器, 2015-4-8, 中国,201310078256.X.
8. 赵金石; 张楷亮 ; 一种利用碳纳米管作为固态电解的阻变存储器, 2015-4-15, 中国,201010593266.3.

获奖

1. 天津市高校学科领军人才。
2. 天津市创新团队负责人。