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关于美国弗吉尼亚理工大学朱岩博士学术报告的通知
2022-11-23 11:53      审核人:


 

 

报告题目:用于单光子探测的光芯片及产业化

报告人:朱岩 博士

主持人:赵金石 教授

报告摘要:工作在盖革模式的APD(雪崩光电探测器)具有单光子探测能力,是未来激光雷达、量子通信等单光子探测领域的核心光芯片。目前,在单光子探测领域,传统的905nm波段正逐步被1550nm波段所替代。基于InGaAs材料的单光子探测器具有比传统Si材料更高的灵敏度和更宽的波长探测极限。并且,1550nm的光线在光纤中具有最低的衰减,因此,1550nm波段的盖革模式APD正逐步成为下一代单光子探测的主流。本报告中,将阐述基于InGaAs的盖革模式APD的工作原理、关键设计参数、制造流程等环节,具体讨论单光子探测器设计中的核心参数。最后,将对单光子探测器产业化的制造流程进行简单讨论。

报告时间20221124日(周1400-15:00

报告方式:腾讯会议(会议号:749-283-013

报告人简介

 

朱岩博士在与集成电路相关的化合物半导体器件、光电子芯片研发与制造领域有超过15年的学术和产业背景。朱岩博士在美国弗吉尼亚理工大学获得博士学位,先后在国际知名研究期刊、会议发表论文40多篇,被同行引用600多次,同时被邀请审阅国际同行论文30多篇,具有深厚的学术造诣。随后,朱岩博士先后就职于数家国际著名的半导体芯片公司,专注于化合物半导体光电、微电芯片的研发与生产。在工业界任职期间,发明了常开型GaN高迁移率大功率晶体管,引领了GaN功率器件行业在该领域的技术革新;打破了单节太阳能电池转化效率的世界纪录,并保持至今。随后,在担任芯片研发和工艺集成首席工程师期间,作为领导者或主要开发者参与了包括超大功率激光芯片、3D人脸识别激光芯片、400G高速光集成芯片等先进光电子芯片的开发工作,具有十分丰富的光电子芯片产品开发和量产经验。其中,主持研发的超大功率激光芯片采用业内唯一可产业化的量子阱消融技术,在提高芯片发射功率的同时极大程度地提高了其可靠性;主持研发与量产了业内首颗4Í100G高速光集成芯片,为5G光通信的发展普及提供了芯片级的保障;主持研发了业内首批用于3D人脸识别的VCSEL激光芯片,后来成功应用于苹果iPhone中,成为全球出货量最大的3D识别激光芯片产品。