基本情况：

姓名：王芳

学历学位：博士研究生

职称：教授

研究方向：薄膜电子器件

邮箱：fwang75@163.com

办公地点：29-321

所在团队名称：微纳电子器件与系统创新团队工作室

团队负责人：张楷亮

可招收硕博专业：电科学硕，集成电路科学与工程学硕、集成电路工程专硕，新一代信息技术专硕

项目：

1. 主持天津市斯莱顿电子有限公司（横向），船舶智能系列传感器的研发，200万，主持

2. 中央引导地方科技发展专项，国家IGBT芯片技术研究，55万，主持

3. 国家自然科学基金项目，基于AlxB1-xNy复合薄膜微波段SAW滤波器的构建及压电互补机理研究，31万，主持

4. 国家重点实验室开放课题，氧化铪基底功耗存储单元及其逻辑特性研究，10万，主持

5. 天津市自然基金，AlN基压电材料掺杂改性及微波段SAW器件的构建研究，10万，主持

论文：

1. Lianqiu Li, Wang Fang* Kaixuan Li et al，Effect of interdigital transducers structure on insertion loss of high-frequency surface acoustic wave devices，JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS，2022，33 (27)：22017-22026

2. Han, Xu，Wang Fang*，Zhang, Kailiang，et al，Effect on coupling coefficient of diamond-based surface acoustic wave devices using two layers of piezoelectric materials of different widths，Diamond and Related Materials，2022，125：109041

3. Lin Xin，Wang Fang*，Shan Xin，et al；High-performance photodetector and its optoelectronic mechanism of MoS2/WS2 vertical heterostructure，Applied Surface Science，2021，546：149074

4. Ange Liang, Jingwei Zhang, Fang Wang^*, et al，Transparent HfOx-based memristor with robust flexibility and synapse characteristics by interfacial control of oxygen vacancies movement，Nanotechnology，2021，32（14）：145202

5. Xichao Di, Fang Wang*, Junqing Wei, et al，Controlled Synthesis of WS2 with Different Layers by Tuning Flow Rates，Material Science Engineering B，2020， 261：114756

6. 张宝军，王芳*，沈稼强，等, 钴掺杂 MoSe2共生长中氢气的作用分析及磁电特性研究, 物理学报，2020，69（4）：048101

7. Tang Dengxuan，Wang Fang*，Zhang，Baijun，et al；Field effect properties of single-layer MoS2(1-x)Se2x nanosheets produced by a one-step CVD process；Journal of Materials Science，2018,53（20）：14447-14455

8. Mingxu Fang, Fang Wang*, Yemei Han, et al；Controlled growth of bilayer-MoS₂ films and MoS₂-based field-effect transistor (FET) performance optimization；Advanced Electronic Materials，2018，4（4）：1700524；

9. Li Yue，Wang Fang*，Tang Dengxuan，et al；Controlled synthesis of highly crystalline CVD-derived monolayer MoSe₂ and shape evolution mechanism；Materials Letters，2018，216:261-264

专利：

1. 王芳;梁安阁;张楷亮等；一种晶圆级层数可控硫化钼及其制备方法；发明专利，天津理工大学；专利号：CN202110338911.5

2. 王芳;韩旭;张楷亮等；一种提高AlN声表面波器件机电耦合系数的结构及方法；发明专利，天津理工大学；专利号：CN202111120348.0

3. 王芳;梁安阁;张楷亮等;一种基于MoS-2的全固态电解质忆阻器及其制备方法，发明专利，天津理工大学；专利号：CN202110338872.9

4. 王芳，闫硕，胡凯等；一种ScAlN SAW谐振器的制备方法，发明专利，天津理工大学；专利号：CN201911074669.4；

5. 王芳，付帮然，周磊等；一种对压电材料声表面波速度进行测量的方法,发明专利，天津理工大学；专利号：CN201510237610.8

获奖：

1.天津市自然科学二等奖：二维材料及其复合光纤微纳光电器件研究，2022，第四名。