基本情况：

姓名：王迪

学历学位：博士

职称：讲师

研究方向：宽禁带半导体外延工艺研究、外延装备研发、紫外光电探测器

邮箱：18253164706@163.com

办公地点：29-303

所在团队名称：先进半导体器件与集成技术

团队负责人：赵金石

可招收硕博专业：电子科学与技术、集成电路工程

教育背景：

工学博士 山东大学，微电子学与固体电子学专业，济南，中国 2022年6月

理学学士 山东大学，应用物理专业，济南，中国 2015年6月

工作经历：

讲师 天津理工大学，集成电路科学与工程学院，2022年7月至今

项目：

1. “基于氧化镓/铟镓砷异质结的紫外/近红外双波段光电探测器的制备与性能研究”，天津市自然科学基金青年项目，2022年10月-2024年9月，主持，6万；

2. “基于新一代宽禁带半导体的电力电子系统的研发”，横向项目，2024年6月-2026年6月，主持，100万；

3. “自供电型日盲紫外光电探测器系列产品的研发”，横向项目，2024年7月-2026年7月主持，32万；

4. “2英寸氧化镓外延片制备”，横向项目，2022年10月-2025年10月，主持，3.4万；

5. “氧化镓/砷化镓异质结型紫外/红外双波段光电探测器的研制”，北京大学深圳研究生院广东省纳米微米材料研究重点实验室开放课题，2024年10月-2025年9月，主持，3万；

6. “钛酸锌和锡酸锌单晶薄膜的异质外延生长及性质研究”，国家自然科学基金面上项目，2019年1月-2022年12月，参与，60万；

7.“可用于下一代光电器件的Beta-氧化镓单晶薄膜的制备及性质研究”，山东省重点研发计划，2018年9月-2020年12月，参与，20万。

论文：

[1] D. Wang, L. He, X. Ma*, H. Xiao, Y. Le, J. Ma*, Preparation and properties of heteroepitaxial β-Ga2O3 films on KTaO3 (100) substrates by MOCVD, Mater. Charact., 165 (2020) 110391.

[2] D. Wang, L. He, Y. Le, X. Feng, C. Luan, H. Xiao, J. Ma*, Characterization of single crystalβ-Ga2O3 films grown on SrTiO3 (100) substrates by MOCVD, Ceram. Int., 46 (2020) 4568-4572.

[3] D. Wang, X. Ma*, H. Xiao, R. Chen, Y. Le, C. Luan, B. Zhang, J. Ma*, Effect of epitaxial growth rate on morphological, structural and optical properties of β-Ga2O3 films prepared by MOCVD, Mater. Res. Bull., 149 (2022) 111718.

[4] D. Wang, X. Ma*, H. Xiao, Y. Le, J. Ma*, Ta-doped epitaxial β-Ga2O3 films deposited on SrTiO3(100) substrates by MOCVD, Materials Science in Semiconductor Processing, 128 (2021) 105749.

[5] D. Wang, X. Ma*, R. Chen, Y. Le, B. Zhang, H. Xiao, C. Luan, J. Ma*, Solar-blind ultraviolet photodetectors based on Ta-doped β-Ga2O3 heteroepitaxial films, Opt. Mater., 129 (2022) 112491.

[6] D. Wang, H. Xiao*, Y. Le, C. Luan, J. Ma*, Effect of Ta doping on the properties of β-Ga2O3 heteroepitaxial films prepared on KTaO3(100) substrates, J. Mater. Sci.-Mater. Electron., 32 (2021) 2757-2764.

[7] W. Mi, X. Li, Y. Ding, D. Wang*, M. Xu, L. Xiao, X. Zhang, X. Chen, B. Li, L. Luo, J. Zhao*, L. Zhou, J. Yu, Effects of seed layer thickness and post-annealing process on crystalline quality of β-Ga2O3 films prepared on Si (100) substrate by RF magnetron sputtering, Vacuum, 214 (2023) 112235.

[8] W. Mi, B. Li, R. Chen, C. Luan, D. Wang*, L.a. He, L. Zhou, J. Zhao*, Effect of trimethylgallium flow rate on structural and photoelectronic properties of β-Ga2O3 films prepared by MOVPE, J. Mater. Sci.-Mater. Electron., 35 (2024) 209.

[9] W. Mi, J. Tang, X. Chen, X. Li, B. Li, L. Luo, L. Zhou, R. Chen, D. Wang*, J. Zhao*, Preparation and UV detection performance of Ti-doped Ga2O3/intrinsic-Ga2O3/p-Si PIN photodiodes, J. Mater. Sci.-Mater. Electron., 34 (2023) 774.

专利：

1. 朱岩；何林安；弭伟；王迪，“一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法”，2024.8.27，中国，ZL202410850899.X