个人简介

        何林安，工学博士，本科毕业于山东大学物理学专业，并取得山东大学微电子学与固体电子学博士学位。长期深耕于半导体材料与光电器件技术领域，主持和参与包括国家自然科学基金、天津市重点研发计划在内的多项纵向科研课题；同时承担先进半导体光电器件与系统集成山西省重点实验室等委托的横向项目。在Applied Physics Letters、Journal of Alloys and Compounds、Ceramics International等国际期刊发表SCI论文50余篇，论文被引累计逾400余次，H指数为12，授权国内发明专利4项。

工作经历

天津理工大学，集成电路科学与工程学院，2023年6月至今 讲师

科研项目

1. “低矫顽电压的纤锌矿型锌基氧化物光电忆阻器的研究”，天津市优秀企业科技特派员项目，2025年10月-2027年9月，主持，在研，5万
2.“基于氧化物超宽禁带半导体材料的高速紫外光电探测器的研究” ，天津市重点研发计划-京津冀协同创新项目，2024年10月-2026年9月，主持，在研，30万。

代表性论文

[1] Hanpeng Liu, Kai Niu, Liang Wang, Lin’an He*, Wei Mi, Di Wang, Liwei Zhou, Yan Zhu*, Juan Wang, Xingcheng Zhang, Rongrong Chen, Jinshi Zhao*. Fabrication and characterization of spinel Zn2GeO4 epitaxial thin films. Ceramics International, 2026, 52(1): 164-170.
[2] Hanpeng Liu, Liang Wang, Lin’an He*, Wei Mi, Di Wang, Liwei Zhou, Yan Zhu*, Juan Wang, Xingcheng Zhang, Rongrong Chen, Kai Niu, Jinshi Zhao*. Preparation and characterization of zirconium-doped indium oxide conducting films with high infrared transparency. Applied Physics Letters, 2025, 127(23): 232102.
[3] K. Niu, X. Du, W. Mi, D. Wang, L. He*, L. Zhou, Y. Zhu*, J. Wang, X. Zhang, J. Zhao*. Fabrication and characterization of heteroepitaxial Zn2GeO4 films on Sapphire via radio frequency magnetron sputtering, Applied Physics Letters, 2025, 3(126) 032102.
[4] W. Mi, L. Yuan, L. He*, D. Wang, L. Zhou, Y. Zhu, L. Xiao, M. Xu, X. Zhang, D. Qi, C. Luan, J. Zhao*, Enhanced performance of ultraviolet photodetector based on amorphous Ga2O3 films through formation of heterojunction with ZnO nanoparticles. Materials Science in Semiconductor Processing 173 (2024) 108174.
[5] L. He, W. Du, Y. Li, Y. He, P. Xie, K. Zhou*, L. Zhang, Y. Hu, X. Yang, S. Liu, P. Gao, S. Gao, C. Tang, Investigation of the gain match in high brightness 980 nm tapered diode laser, Journal of Luminescence, 257 (2023) 119644.
[6] L. He, C. Luan*, D. Wang, Y. Le, X. Feng, J. Ma*. Preparation and characterization of heteroepitaxial Zn2SnO4 single crystalline films prepared on MgO (100) substrates, Journal of the American Ceramic Society, 103 (2020) 2555-2561.
[7] L. He, D. Wang, X. Ma*, X. Feng, H. Xiao, Y. Le, J. Ma*, Fabrication and characterization of ultraviolet detector based on epitaxial Ta-doped Zn2SnO4 films, Optical Materials, 108 (2020) 110224.
[8] L. He; C. Luan*; X. Feng; H. Xiao; J. Ma*; Effect of niobium doping on the structural, electrical and optical properties of epitaxial SnO2 films on MgF2 (110) substrates by MOCVD, Journal of Alloys and Compounds, 741(2018) 677-681

专利

1.朱岩; 何林安; 弭伟; 王迪; 一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法, 2024-08-27, 授权公告号：CN 118398726 B， 专利号：ZL 2024 1 0850899.X
2.一种半导体激光器结构，发明人：何林安、周坤、杜维川、李弋、高松信、唐淳，授权公告号：CN 112615258 B，专利号：ZL 2020 1 1396116.3
3.一种高质量锡酸锌单晶薄膜及其制备方法，发明人：马瑾、栾彩娜、何林安，授权公告号：CN 110172733 B，专利号：ZL 2019 1 0536407.9
4.一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法，发明人：栾彩娜、马瑾、何林安，授权公告号：CN 107419333 B，专利号：ZL 2017 1 0551026.9