基本情况：

姓名：何林安

学历学位：博士

职称：讲师

研究专长（方向）：短波红外/紫外光电探测器

可招收硕博专业：集成电路工程（专硕）

电子邮箱：hla_tjut@126.com

教育背景：

工学博士 山东大学，微电子学与固体电子学专业，济南，中国 2020年6月

理学学士 山东大学，物理学专业，济南，中国 2014年6月

工作经历：

讲师 天津理工大学，集成电路科学与工程学院，2023年6月至今

项目：

1. “基于氧化物超宽禁带半导体材料的高速紫外光电探测器的研究” ，天津市重点研发计划-京津冀协同创新项目，2024年10月-2026年9月，主持，在研，30万。

论文：

[1] L. He, C. Luan*, D. Wang, Y. Le, X. Feng, J. Ma*, Preparation and characterization of heteroepitaxial Zn2SnO4 single crystalline films prepared on MgO (100) substrates, Journal of the American Ceramic Society, 103 (2020) 2555-2561.

[2] L. He, D. Wang, X. Ma*, X. Feng, H. Xiao, Y. Le, J. Ma*, Fabrication and characterization of ultraviolet detector based on epitaxial Ta-doped Zn2SnO4 films, Optical Materials, 108 (2020) 110224.

[3] L. He, W. Du, Y. Li, Y. He, P. Xie, K. Zhou*, L. Zhang, Y. Hu, X. Yang, S. Liu, P. Gao, S. Gao, C. Tang, Investigation of the gain match in high brightness 980 nm tapered diode laser, Journal of Luminescence, 257 (2023) 119644.  

[4] W. Mi, L. Yuan, L. He*, D. Wang, L. Zhou, Y. Zhu, L. Xiao, M. Xu, X. Zhang, D. Qi, C. Luan, J. Zhao*, Enhanced performance of ultraviolet photodetector based on amorphous Ga2O3 films through formation of heterojunction with ZnO nanoparticles. Materials Science in Semiconductor Processing 173 (2024) 108174.

[5] 丁悦，皇甫倩倩，左清源，梁金龙，弭伟*，王迪，张兴成，刘振，何林安*，PEN衬底氧化镓基柔性紫外探测器的制备与性能研究（特邀），光子学报（Acta Photonica Sinica），53 (2024) 0753305.

[6] X. Du, K. Niu, W. Mi, D. Wang, Y. Zhu*, L. He, L. Zhou, J. Wang, X. Zhang*, J. Zhao*, Comparative studies of metamorphic and strained InGaAs PIN photodetector for low-temperature CH4 detection, Journal of Vacuum Science & Technology B (Accepted).

专利：

1. 一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法，发明人：栾彩娜、马瑾、何林安，授权公告号：CN 107419333 B，专利号：ZL 2017 1 0551026.9。

2. 一种高质量锡酸锌单晶薄膜及其制备方法，发明人：马瑾、栾彩娜、何林安，授权公告号：CN 110172733 B，专利号：ZL 2019 1 0536407.9。

3. 一种半导体激光器结构，发明人：何林安、周坤、杜维川、李弋、高松信、唐淳，授权公告号：CN 112615258 B，专利号：ZL 2020 1 1396116.3。

4. 一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法，发明人：朱岩、何林安、弭伟、王迪，授权公告号：CN 118398726 B，专利号：ZL 2024 1 0850899.X。