基本情况：

姓名：陈蓉蓉

电子邮箱：2476880811@qq.com

学历学位：博士研究生

职称：讲师

研究专长：宽禁带半导体材料外延生长、光电子器件研发

可招收硕博专业：电子科学与技术

教育背景：

工学博士 山东大学，微电子学与固体电子学专业，济南，中国 2024年6月

工学学士 山东大学，应用物理专业，济南，中国 2019年6月

项目：

1. 国家自然科学基金面上项目，“大面积可转移Beta-氧化镓单晶薄膜的制备及性质研究”，参与，经费金额：63万元，项目号：61874067；

2. 山东省自然科学基金项目，“可转移的、稀土元素掺杂的Beta-氧化镓基发光二极管的制备及性能研究”，参与，经费金额：20万元，项目号：ZR2019MF042；

3. 山东省重点研发计划，“可用于下一代光电器件的Beta-氧化镓单晶薄膜的制备及性质研究”，参与，经费金额：20万元，项目号：2018GGX102024；

4.“氧化镓/砷化镓异质结型紫外/红外双波段光电探测器的研制”，北京大学深圳研究生院广东省纳米微米材料研究重点实验室开放课题，参与，3万。

论文：

以第一作者身份发表SCI论文：

[1] CHEN R, WANG D, HAN X, et al. Self-powered deep ultraviolet PIN photodetectors with excellent response performance based on Ga₂O₃ epitaxial films grown on p-GaN [J]. Appl Phys Lett, 2023, 123(8).

[2] CHEN R, WANG D, LIU J, et al. Ta-Doped Ga₂O₃ Epitaxial Films on Porous p-GaN Substrates: Structure and Self-Powered Solar-Blind Photodetectors [J]. Cryst Growth Des, 2022, 22(9): 5285-5292.

[3] CHEN R, ZHU H, HAN X, et al. Fabrication, properties, and photodetector of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/GaN heteroepitaxial films grown by MOCVD [J]. Ceram Int, 2024, 50(6): 9363-9371.

[4] CHEN R, WANG D, FENG B, et al. High responsivity self-powered DUV photodetectors based on β-Ga₂O₃/GaN heterogeneous PN junctions [J]. Vacuum, 2023, 215: 112332.

[5] CHEN R, LIU J, FENG B, et al. Pores in p-type GaN by annealing under nitrogen atmosphere: formation and photodetector [J]. J Mater Sci, 2022: 467-476.

[6] CHEN R, ZHAO C, LUAN C, et al. High crystal quality β-Ga₂O₃ epitaxial films grown on porous n-GaN substrates [J]. Mater Sci Semicond Process, 2023, 168.

获奖：

2023年获山东大学博士研究生国家奖学金