电子科学与技术系
电子科学与技术系
赵金石(教授)
2026-09-14 16:26      审核人:

赵金石

教授、硕导、博导

办公地点:29-325

研究方向:先进半导体存储器、类脑芯片等

工作邮箱:jinshi58@163.com

所在团队名称:先进半导体器件与集成技术

团队负责人:赵金石

硕士研究生:电子科学与技术、集成电路科学与工程、低空技术与工程、集成电路工程、通信工程

博士研究生:电子信息、材料科学与工程、低空技术与工程

个人简介

        赵金石,工学博士,毕业于韩国首尔大学,现任天津理工大学集成电路科学与工程学院院长,兼任首尔大学兼职教授。现为天津市政协常委、西青区政协副主席,入选天津市高等学校学科领军人才,兼任天津市真空学会副理事长,中国电子学会高校电子信息学科建设推进委员会委员,并担任天津市创新人才推进计划重点领域团队负责人。
        曾在韩国三星电子半导体研究所和首尔大学半导体研究所从事科研工作,参与高集成度RRAM器件关键工艺研发,积累了丰富的国际化科研背景与产业协同研发经验。长期深耕于先进半导体器件与集成芯片技术领域,研究方向涵盖新型半导体存储器、类脑芯片、神经形态计算等前沿方向。
        主持和参与包括国家自然科学基金、天津市重大专项、天津市自然科学基金重点项目、韩国科技部重大专项在内的多项纵向科研课题;同时承担三星电子、海力士(Hynix)、JuSeng Engineering等企业委托的横向项目,具备产学研一体化组织实施能力。
        在《Advanced Functional Materials》、《Angewandte Chemie International Edition》、《Chemical Engineering Journal》、《ACS Applied Materials & Interfaces》、《Applied Physics Letters》等国际权威期刊发表SCI论文140余篇,论文被引累计逾2200次,H指数为25。已申请与授权国际/国内发明专利30余项,具备突出的原创技术创新与成果转化能力。致力于服务国家战略需求与地方产业发展,积极推动集成电路核心技术攻关与人才培养,为区域高端集成电路产业体系建设提供有力支撑。

科研项目

(1) 高效率低成本晶硅太阳能电池关键硅材料提纯、高效利用及循环再生技术研发,横向,2025.11-2028.10,500万,主持
(2) 天津市科技局-京津冀自然科学基金合作专项,大模型赋能下基于工业互联网的设备预测性维护系统研究,2025.10-2028.9,60万元,主持
(3) 天津市科技局-技术创新引导专项(企业科技特派员项目),柔性阻变存储器构建及其性能研究,2025.10-2027.9,5万元,主持
(4) 国家重点实验室开放课题,二维h-BN辅助高质量可转移β-Ga2O3外延薄膜的制备与研究,2025.9-2027.9,10万元,主持
(5) 多模态感知融合的无人机智能运维系统:故障诊断与自主充电协同优化,横向,2025.07-2-28.06,550万,主持
(6)太阳能半导体光材料开发,横向,2025.05-2026.05,100万,主持
(7) 半导体硅材料光电性能开发,横向,2024.08-2027.07,500万元,主持
(8) N型光伏硅料低成本技术攻关,横向,2023.05-2023.09,800万元,主持
(9)光伏降级硅材料再利用技术攻关,横向,2022.05-2023.04,500万,主持
(10) 天津市科技计划项目重大专项与工程, 面向野战应用环境的一体化脉冲电场和强光消杀装备研制, 2018.10-2021.09, 200万元, 主持
(11) 天津市学科领军人才计划, 微纳半导体存储器研究, 2017,09-2020.08, 60万元, 主持
(12) 天津市自然科学基金委重点项目, 基于两种不同导电机理的多值阻变存储器研究, 2014.04-2017.03, 20万元, 主持

近三年代表性论文

[1] L. Zhou, C. Ke, Q. Yu, S. Li, Y. Wang, J. Zhao*, Oxygen vacancy-regulated W/WOX/Pt RRAM with coexisting volatile and nonvolatile switching for neuromorphic computing, Applied Surface Science, 751 (2027) 168162.
[2] Y. Mao, L. Chen*, J. Courtin, S. Lin, G. Cai, Y. Zhu, Y. Leger, N. Bertru, J. Zhao*, C. Cornet*, Bandgap-Engineered AlGaAs/GaAs Heterostructures for Wavelength-Selective Dual-Polarity Photoelectrochemistry, Advanced Functional Materials, 36 (2026) c76551.
[3] M. Guo, S. Gao*, Y. Wang, K. Liu, J. Zhao*, Z. Zhang, Y. Li, C. Li, L. Zhang*, Stabilization the Electrode/Electrolyte Interphase by Reconstructing the Solvation Structure of Eutectic-Based Polymer Electrolyte, Advanced Functional Materials, 36 (2026) e09739.
[4] Z. Zhang, M. Guo, S. Gao*, Y. Li, K. Liu, J. Zhao*, L. Zhang*, Flame-retardant quasi-solid polymer electrolyte with LiF-rich electrolyte/ electrode interfaces for stable lithium metal batteries, Chemical Engineering Journal, 541 (2026) 177419.
[5] J. Zhao, X. Zhu, Y. Cao, D. Wang, L.a. He, H. Liu, C. Dong, C. Li, Q. Wang*, L. Zhou*, The investigation of RRAM devices based on Mo/TaOx/ITO structure with ultra-low operating voltage, Applied Surface Science, 735 (2026) 166728.
[6] X. Kong, D. Wang*, R. Chen*, X. Zhao, M. Cui, Q. Li, W. Mi, L.a. He, Y. Zhu, J. Wang, L. Zhou, Z. Chen, J. Zhao*, Interface-engineered Ga2O3/(AlxGa1-x)2O3/GaN heterojunction photodetectors with tunable band alignment and enhanced carrier separation, Journal of Alloys and Compounds, 1080 (2026) 190296.
[7] H. Liu, K. Niu, L. Wang, L. He*, W. Mi, D. Wang, L. Zhou, Y. Zhu*, J. Wang, X. Zhang, R. Chen, J. Zhao*, Fabrication and characterization of spinel Zn2GeO4 epitaxial thin films, Ceramics International, 52 (2026) 164-170.
[8] R. Li, M. Yuan, W. Cao, L. Sang, L*. Chen, Q. Wang, J. Zhao*, S. Dou, X. Ming, X. Zhu, H.-H. Wen, X. Wang*, Magnetic relaxation in (Cu, C)Ba2Ca3Cu4O11+δ superconductors, Superconductor Science & Technology, 39 (2026) 055001.
[9] C. Li, Z. Wang, Z. Li, J. Zhang, S. Wang, Y. Ma*, X. Shi, H. Zhang, D. Song, J. Zhao*, L. Zhang*, Deep Eutectic Solvent Binder Facilitating Reaction Kinetics of Lithium Sulfur Batteries, Angewandte Chemie-International Edition, 64 (2025) e202516009.
[10] H. Liu, L. Wang, L. He*, W. Mi, D. Wang, L. Zhou, Y. Zhu*, J. Wang, X. Zhang, R. Chen, K. Niu, J. Zhao*, Preparation and characterization of zirconium-doped indium oxide conducting films with high infrared transparency, Applied Physics Letters, 127 (2025) 232102.
[11] K. Niu, X. Du, W. Mi, D. Wang, L. He*, L. Zhou, Y. Zhu*, J. Wang, X. Zhang, J. Zhao*, Fabrication and characterization of heteroepitaxial Zn2GeO4 films on sapphire via radio frequency magnetron sputtering, Applied Physics Letters, 126 (2025) 032102.
[12] Q. Li, W. Mi*, D. Wang, R. Chen, L.a. He, Y. Zhu, J. Wang, L. Zhou, Y. Peng, M. Xu, L. Xiao, X. Ma, X. Qiao, J. Zhao*, Low-temperature growth of β-Ga2O3 film on MgO (100) substrate by HVPE for solar-blind ultraviolet imaging photodetector array, Journal of Alloys and Compounds, 1048 (2025) 185150.
[13] H. Sun, D. Chen, L. Zhou*, W. Mi, D. Wang, L. He, J. Zhao*, The synergistic effect of Ta-doping and antireflective TaOx layer on the thermochromic VO2 thin films for smart windows, Solar Energy Materials and Solar Cells, 275 (2024) 113010.
[14] Z. Chen, Y. Mao, L. Sang, Q. Wang, G. Cai, L. Chen*, J. Zhao*, Association properties of MoS2-ZnO nanocomposites on Si substrate for water splitting applications, Materials Today Communications, 45 (2025) 112344.
[15] L. Chen, L. Pedesseau, J. Zhao*, C. Cornet*, Transport anisotropy in semimetallic and stoichiometric wurtzite inversion domain boundaries, Physical Review B, 111 (2025) 245302.
[16] L. Sang, X. Cui, J. Hou, G. Yang*, S. Ma*, L. Chen, Q. Wang, Y. Liang, W. Guo, N. Ye, C. Cai, X. Wang, J. Zhao*, Unveiling intrinsic superconductivity in HfNbZrTi medium-entropy alloy single crystals, Superconductor Science & Technology, 38 (2025) 055022.

专利专著

1. 蔡岗日;赵金石;史竟舟;康少辉;冯将,“一种基于离子掺杂的高分子电解质的神经突触仿生器件”,2025.12.12,中国,ZL202211306985.1。
2. 蔡岗日;赵金石;薛松;梁辉;任九州,“一种基于高分子电解质双层结构的神经突触仿生器件”,2022.11.25,中国,ZL202110103065.9。
3. 杨正春;李沛君;弭伟;吴健文;朱博;郭睿轩;伏特;朱云昊;李珍;赵金石;张楷亮,“一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统”,2022.06.17,中国,ZL201910454293.3。

获奖

1. 天津市高校学科领军人才。
2. 天津市创新团队负责人。