项目

1. 参与完成基于单晶硅纳米薄膜的柔性微波单片集成电路研究（国家自然科学基金面上项目，经费63万元）
2.参与完成基于半导体电子器件的新型生物传感技术研究（天津大学与天津医院合作青年项目，经费6万）
3.参与完成二维材料大面积可控制备及器件阵列研究（天津市自然科学基金重点项目）。

论文

[1]Junqing Wei, Zihao Liu, Zhuyu Zhang, Kuibo Lan, Yong Wang, Ruibing Chen, Guoxuan Qin. Suspended CNTs/MoS2heterostructure field effect transistor for high performance biosensor and its application for serum PSA detection. Sensors and Actuators B: Chemical 2023, 133417. (A类，IF=9.221, Top)
[2]Junqing Wei, Zhihan Zhao, Kuibo Lan, Zhi Wang, Guoxuan Qin, Ruibing Chen. Highly sensitive detection of multiple proteins from single cells by MoS2-FET biosensors, Talanta 2022, 236. (A类，IF=6.556, Top)
[3]Junqing Wei, Zhihan Zhao, Fengting Luo, Kuibo Lan, Ruibing Chen and Guoxuan Qin. Sensitive and quantitative detection of SARS-CoV-2 antibodies from vaccinated serum by MoS2-field effect transistor. 2D Materials 2022, 9, 015030. (B类，IF=6.861)
[4]Junqing Wei, Xichao Di, Fang Wang, Xin Shan, Baojun Zhang, Baojuan Xin, Weihua Wang, Zhitang Song, Kailiang Zhang. Wafer-scale MoS2 for P-type field effect transistor arrays and defects-related electrical characteristics. Thin Solid Films 2021, 732, 138798. (C类，IF=2.358)
[5]Junqing Wei, Shihui Yu, Xin Shan, Kuibo Lan, Xiaodong Yang, Kailiang Zhang, and Guoxuan Qin. 2D-MoS2/BMN ceramic hybrid structure flexible TFTs with tunable device properties. ACS Applied Materials & Interfaces 2020, 12, 38306-38313. (A类，IF=10.383, Top)
[6]Junqing Wei, Fang Wang, Baojun Zhang, Xin Shan, Xichao Di, Yue Li, Yulin Feng, Kailiang Zhang. High-performance FET arrays enabled by improved uniformity of wafer-scale MoS2synthesized via thermal vapor sulfurization. Applied Surface Science 2019, 483, 1136-1141. (A类，IF=7.392, Top)

专利

(1)郑磊，弓艳霞，高宇生，刘超，陆韵峰，LDMOS器件的形成方法,中芯国际（PCT国际专利）,国内申请号：202310019152.5
(2)郑磊，孙欣，弓艳霞，刘超，陆韵峰，半导体结构及其形成方法,中芯国际（PCT国际专利）,国内申请号：202211045387.3
(3)郑磊，米红星，孙亚龙，刘超，陆韵峰，接触孔的曝光方法,中芯国际（PCT国际专利）,国内申请号：202210604269.5
(4)郑磊，孙亚龙,姜东旭，刘超，陆韵峰，芯片的清洗方法，中芯国际（PCT国际专利）,国内申请号：202210911038.9
(5)郑磊，姜东旭，王盼盼，刘超，陆韵峰，半导体结构的形成方法,中芯国际（PCT国际专利）,国内申请号：202210792988.4
(6)郑磊，米红星，刘超，牛健，接触结构及其制作方法,中芯国际（PCT国际专利）,国内申请号：202210412971.1
(7)卢奕鹏，郑磊，杨冲，赵雷，键合结构及其形成方法与MEMS传感器、可穿戴设备，北京大学，中国发明专利，专利申请号：202310246317.2
(8)卢奕鹏，郑磊，赵雷，杨冲，一种PMUT接收阵列的制备方法和系统， 北京大学，中国发明专利，专利申请号：202310729121.9
(9)胡文平，郑磊，张小涛，可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法和应用,天津大学，中国发明专利,专利授权号：ZL201811476217.4
(10)米红星，王鹏，李洋，吴琼，郑磊，半导体结构及其形成方法，中芯国际（PCT国际专利）,国内申请号：202211148828.2
(11)米红星，李洋，吴琼，郑磊，陆韵峰，半导体结构及其形成方法,中芯国际（PCT国际专利）,国内申请号：202310121946.2
(12)汤庆鑫，刘益春，童艳红，郑磊，一种可编织线状有机单晶场效应晶体管及其制备方法与应用,东北师范大学，中国发明专利,专利授权号：ZL201510669814.9

获奖

中芯国际第一期“芯星”； 东北师范大学优秀毕业生；研究生国家奖学金等