基本情况:

姓名：王娟

学历学位：博士

职称：讲师

研究专长（方向）：III-V族化合物量子阱材料，硅基光电子集成

可招收硕博专业：微电子科学与工程、电子科学与技术

电子邮箱：654943592@qq.com

教育背景：

理学博士 中国科学院半导体研究所，凝聚态物理专业，北京，中国 2009年9月

理学学士 山东大学，物理学专业，济南，中国 2005年9月

工作经历：

讲师 天津理工大学，集成电路科学与工程学院，2024年6月至今

研发和应用工程师 SUMCO Phoenix （胜高半导体美国）公司 2017年6月-2024年2月          

专利审查员 中华人民共和国国家知识产权局 2014年8月-2016年7月

项目：

1. SUMCO 2021 财年国际创新项目，红磷掺杂的低阻衬底吸杂方式优化，主持，经费数额：121万

2. SUMCO 2019 财年技术改进计划，高性能低压功率器件研究，主持，经费数额：105万

论文：

[1] Juan Wang, Guowei Wang, Yingqiang Xu, Junliang Xing, Wei Xiang, Bao Tang,Yan Zhu, Zhengwei Ren, Zhenhong He, and Zhichuan Niu, “Molecular beam epitaxy growth of high electron mobility InAs/AlSb deep quantum well structure”, J. Appl. Phys. 114, 013704 (2013)

[2] Juan Wang, Junliang Xing, Wei Xiang, Guowei Wang, Yingqiang Xu, Zhengwei Ren, Zhichuan Niu, “Investigation of High Hole Mobility In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb Quantum Well Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy”, Appl. Phys. Lett. 104, 052111 (2014)

[3] Junliang Xing, Yu Zhang, Yingqiang Xu, Guowei Wang, Juan Wang, Wei Xiang, Haiqiao Ni, Zhengwei Ren, Zhenhong He, and Zhichuan Niu, “High quality above 3μm mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum-well grown by molecular beam epitaxy”, Chin. Phys. B 23, 017805 (2014)

[4] Guowei Wang, Wei Xiang, Yingqiang Xu, Liang Zhang, Zhenyu Peng, Yanqiu Lv, Junjie Si, Juan Wang, Junliang Xing, Zhengwei Ren, and Zhichuan Niu, “Growth and fabrication of a mid-wavelength infrared focal plane array based on type-II InAs/GaSb superlattices”, J. Semiconductor 34, 114012 (2013)

[5] Ying Yu, Mifeng Li, Jifang He, Yuming He, Yujia Wei, Yu He, Guowei Zha, Xiangjun Shang, Juan Wang, Lijuan Wang, Guowei Wang, Haiqiao Ni, Chaoyang Lu, Zhichuan Niu, “Single InAs Quantum Dot Grown at the Junction of Branched Gold-Free GaAs Nanowire”, Nano Letters 13 1399 (2013 )

[6] Feng Zhan, Haili Wang, Jifang He, Juan Wang, Shesong Huang, Haiqiao Ni and Zhichuan Niu, “Multilayer Antireflection Coating for Triple Junction Solar Cells”, Chin. Phys.  Lett. 28, 047802 (2011)

[7] Yan Zhu, Mifeng Li, Jifang He, Ying Yu, Haiqiao Ni, Yingqiang Xu, Juan Wang, Zhenhong He, and Zhichuan Niu, “GaAs-Based Long-Wavelength InAs Bilayer Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy”, J. Semiconductor 32, 083001 (2011)