P   A   R   T                                

先进微纳器件实验室

正 / 因 / 为 / 年 / 轻 / 所 / 以 / 勇 / 往 / 直 / 前 ！

衬底处理设备

半导体兆声清洗系统

 SFQ-1006T型

Strasbaugh 6-EC模型是用于化学机械平面化(CMP)研  究，失效分析和小批量生产的经济工具。它的半自动操 作可通过彩色触摸屏图形用户界面(GUI)进行编程，以 实现可重复且精确的过程控制。

设备型号为：nSpire-6EC                                                  6-EC标配一台泥浆泵，另一台可选。较小的尺寸(48英   寸x 37英寸x 72英寸)提供了带有垫块调节功能的最小的   独立系统之一。该系统可用于4英寸，6英寸或8英寸晶圆。 抛光垫采用罗门哈斯公司生产的IC1000/Suba IV抛光垫。    厂家：美国Strasbaugh公司

薄膜生长设备

超高真空磁控溅射系统

磁控溅射是物理气相沉积 (Physical Vapor Deposit ion，PVD) 的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多 材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优 点。

型号：DE500

DE500 Sputter 磁控溅射仪极限真空度可达≤ 5.0×10-8Torr， 关机100小时后的真空度可保持在7.5E-2Torr，工作气压稳定性 优于0.25%，溅射气压下观察不到压力漂移。直流起辉气压低至 0.7mTorr, 直流和射频均可保持在该气压下辉光稳定工作，直流 起辉功率可低于10W，并可保持辉光稳定工作。

厂家：美国德仪科技有限公司

原子层沉积系统SI PEALD LL适用于小批量生产、研 发、以及高校。可沉积几纳米厚的超薄膜，有出色的 均匀性、对3D结构有非常好的覆盖一致性。在工艺循 环中、向真空反应腔内分步骤地增加前驱体，从而精 确地控制膜厚和膜特性。ALD的特性特别适合半导体 工程、微机电系统MEMS和其他纳米科技的应用。

SI PEALD LL 采用灵活的系统结构，适用于广泛的 沉积模式和工艺。它可升级配置更多的前驱体源、等 离子体源、在线监测和其他选项。SI PEALD LL可在 不同种类和尺寸的衬底上通过热ALD 和等离子增强 ALD方式沉积氧化物、氮化物、金属和其他材料。

生产厂家：德国SENTECH

超高真空多功能溅射设备

主要用于纳米级的单层及多层功能膜、各种硬质膜、金属膜、

半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等的研究开发，广泛

应用于半导体行业、微电子及新材料领域。

型号：JGP 450型

系统极限真空可以达到主溅射室：  2×10-5Pa，进样室：

6.6×10-4Pa。衬底基片：样品库内可放置6片基片

(Ф30mm) ，为水冷加热转盘，可加偏压。

厂家：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司

电子束蒸发系统

厂家：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司

器件加工设备

电子束曝光  (electron beam lithography)  指使用电子束在 表面上制造图样的工艺，   是光刻技术的延伸应用。  电子

束曝光系统  (electron beam lithography system)   即用于 实现电子束曝光的系统。  电子束曝光在半导体工业中被

广泛使用于研究下一代超大规模集成电路。

型号：  e-Line plus

eLINE Plus系统希望将电子束光刻系统与开放平台相结合， 以在单个工具中实现更多可选的纳米加工工艺和技术。

完全集成的纳米操纵器，  例如纳米探测，   用于FEBIP工艺

的气体注入系统以及一 系列其他选项，   可补充毫不妥协

的光刻系统体系结构，  使eLINE Plus当前成为世界上最通 用，   最独特的纳米工程EBL系统。

厂家：   德国Raith

PlasmaPro 80是一种结构紧凑 、小尺寸且使用方便 的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。

它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式

设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理

想选择。它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控

制来实现高质量的工艺。

应用 :

· III-V族材料刻蚀工艺

· 硅Bosch和超低温刻蚀工艺

· 类金刚石 (DLC) 沉积

· 二氧化硅和石英刻蚀

· 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀

生产厂家：英国牛津仪器

双面光刻机

快速热退火是用各种热辐照源，直接照射在样品表面上，

迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时

间内完成退火。它可以使用较高的退火温度，这有利于

提高注入杂质的激活率与迁移率，瞬态退火可以减少注

入杂质的再分布，形成陡峭的杂质分布或突变结，另外

当退火温度要求不十分高时，样品表面无须用介质膜保

护，简化了工艺。

设备型号：RTP-500

温度范围:在150℃--1300℃，升温速率:在0 .001-

220C/s，可编程温度曲线存储500 条以上, 每条曲线包括

50段以上, 温度设定范围 100-1300 C , 时间设定范围1-

30000 秒，能够实时温度曲线显示及存储功能。拥有双 闭环温度控制, 稳态温度稳定性±2℃，1000℃连续工作

>1小时。

厂家：北京东之星应用物理研究所

芯片光电性能分析测试设备

原子力显微镜  ( Atomic Force Microscopy，  AFM)  ，   一种可  用来研究包括绝缘体在内的固体材料表面结构的分析仪器。 它通过检测待测样品表面和一个微型力敏感元件之间的极  微弱的原子间相互作用力来研究物质的表面结构及性质。

型号：  5600LS型

安捷伦大样品台原子力显微镜可以快速、  准确地实现针尖  定位和样品定位。  高精度的马达驱动能自动准确定位到特  定区域，   同时带有记忆功能，   可以自动迅速而准确地回到  原来每个样品表面成像的位置，  便于进行更多的深入研究。

厂家：   美国安捷伦agilent公司

薄膜厚度测量仪适用于塑料薄膜量程范围内各  种材料的精确厚度测量。薄膜等包装材料厚度  是否均匀一致，是检测薄膜各项性能的基础。   薄膜厚度不均匀，不但会影响到薄膜各处的拉  伸强度、阻隔性等，更会影响薄膜的后续加工。

型号：   ST2000-DLXn

该型号薄膜厚度测量仪测量快速，操作简便， 具有非接触和非破坏性以及极好的重复性和再 现性。能基于Windows的用户友好界面进行操 作，且每个视图都有打印功能和数据保存功   能 。

厂家：韩国科美仪器(K-MAC)

拉曼光谱仪主要适用于科研院所、  高等院校物理和化

学实验室、  生物及医学领域等光学方面，  研究物质成

分的判定与确认；  该仪器以其结构简单、  操作简便、

测量快速高效准确，   以低波数测量能力著称；   采用共

焦光路设计以获得更高分辨率，   可对样品表面进行

um级的微区检测，   也可用此进行显微影像测量。

型号：   invia系列0618-02

Invia系列能检测微弱信号，   快速获取数据，   能获得高

质量高分辨率的光谱，   高效的光学设计可为提供最佳

的拉曼数据，   包括微小的材料痕迹和大体积的痕迹。

厂家：   英国雷尼绍Renishaw

金相显微镜或是数码金相显微镜是将光学显微  镜技术、光电转换技术、计算机图像处理技术  完美地结合在一起而开发研制成的高科技产品， 可以在计算机上很方便地观察金相图像，从而  对金相图谱进行分析，评级等以及对图片进行  输出、打印。

型号：XHC-SV1

XHC-SV1型数码正置金相显微镜可广泛应用     于各个高性能要求的研究观测，尤其带有微分  干涉功能，被广泛应用于太阳能电池硅片检测、 FPD、电路封装、半导体晶圆、电路基板、材

料、精密模具的检测。

厂家：北京东方华测科学技术中心

完整的低温真空探针台测试系统，广泛应用于半导体工

业(芯片、晶圆片、封装器件)、MEMS、超导、电子学、

铁电子学、物理学和 材料学等领域。

型号：ST-500

ST-500系列探针台利用液氦或液氮快速制冷，为晶片、

器件和材料(薄膜、纳米线、纳米管、石墨烯、拓扑绝

缘体、超导材料、铁电材料等)提供便利真空和低温测

试条件，先进的减振

技术保证了样品位置的稳定性。

厂家：美国Janis公司

半导体参数分析仪(器件分析仪)是一种集多种测量

和分析功能于一体的测试仪器，可准确执行电流- 电

压(IV)和电容测量(C -V(电容 - 电压)、C-F(

电容-频率)以及 C-t(电容 - 时间)测量)，并 快速、轻松地对测量结果进行分析，完成半导   体参数测试。

型号：   B1500

精密电流电压分析仪系列的Keysight B1500A提供

了广泛的测量功能，可覆盖半导体材料和器件，有

源/无源组件或几乎任何其他类型的电子设备的电气

特性和评估，并且具有很强的测量可靠性和效率。

厂家：美国安捷伦agilent

表面轮廓仪