近日，赵金石院长团队的陈立品老师联合法国国立应用科学院FOTON实验室C.Cornet教授，在国际物理学权威期刊PRB上发表题为“Strain-induced band-to-band Fermi level tuning in II-VI and III-V antiphase boundaries”的论文。

硅基外延III-V族（与II-VI族）半导体可结合硅材料与III-V（与II-VI）半导体的优点，是太阳能电池、太阳能光电水解、集成光子等应用领域的理想材料之一，受到国内外研究人员普遍关注和研究。反相畴界缺陷是硅基外延III-V（与II-VI）半导体中一种主要的晶体缺陷。陈立品老师与合作者研究发现一向被认为是有害的反相畴界缺陷本身其实具有很多奇特的物理性能。主要分为n型和p型两种类型，而且在外加应力下，其费米能级可发生移动，有望实现n型与p型电子掺杂性能的奇妙转变。这表明巧妙利用反相畴界缺陷有望实现对外延半导体材料中载流子的高效分离及输运等微操控，对于新型高效光电子器件的设计与开发具有重要的指导意义。今年是中法建交60周年，此工作不仅是我院在硅基外延III-V半导体材料与器件领域的一项突破，更是我校对促进中法两国科研合作的践行。