性别

女

学历学位

博士

职称

副教授

导师类型

硕导

联系电话

13820774620

所属学院

集成电路科学与工程学院

Email

hanym2016@126.com

人才称号

天津市“131”人才培养计划第二层次。

天津市创新人才推进计划重点领域创新团队。

学术兼职

Journal of Alloys and Compounds, Material Letters期刊审稿人

  招生专业

电子科学与技术

集成电路工程

研究方向

存储薄膜材料与器件，磁电功能薄膜与器件

代表性学术成果：

主持、参与的项目：

[1] 国家自然科学基金（青年项目），BZT-BCT基复合薄膜磁电存储单元及其电致磁电效应研究，主持。

[2] 天津市自然科学基金（面上项目）基于磁电耦合效应的超薄FeCo薄膜存储器件研究，主持。

[3] 天津市应用基础与前沿技术研究计划（青年项目），电压开关控制的新型多铁性磁电存储单元的研究，主持。

[4] 天津市高等学校科技发展基金计划项目，基于磁电效应的智能存储器元件研究，主持。

[5] 天津市科技计划项目，基于氧化钒相变薄膜的RRAM构建及阻变特性，参加。

[6] 863项目，微组装用高性能微波介质陶瓷与片式元件关键技术研究，参加。

[7] 美国国家自然科学基金：Nanostructured Self-Organizing Magnetoelectrics Composites，参加。

代表性论文：

【1】 Haixing Cao; Xianming Ren; Meibing Ma; Xin Yin; Yemei Han; Kai Hu; Zheng Sun; Fang Wang; Kailiang Zhang ; Multiferroic behavior of CoFe1.6Al0.4O4 spinel thin films, Materials Letters, 2022, 2022(314): 1-3

【2】 Zhi Tao; Yemei Han; Xianming Ren; Hui Li; Fang Wang; Kailiang Zhang ; Bias voltage modula ted resistance states in small-area Fe70Ga30 films on ferroelectric Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3TiO3) films, Thin Solid Films, 2020, 2020(709): 1-4

【3】 Yemei Han*, Zhichao Zhang, Fang Wang, Kailiang Zhang; Piezoelectric properties of bilayer ferroelectricthin films basedon (1-x)[Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O₃] –x(Ba_0.7Ca_0.3TiO₃); Materials Letters; 177(2016)68–70

【4】 Yemei Han*, Zhichao Zhang, Fang Wang, Wei Mi, Kailiang Zhang; Fabrication and characterization of a magnetoelectric memory cell of 50Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O₃–50Ba_0.7Ca_0.3TiO₃/Fe₇₀Ga₃₀; Materials Letters; 2016，170：192–195

【5】 Yemei Han*, Fei Che, Zhi Tao, Fang Wang, Kailiang Zhang; Electric field induced modulation of transport characteristics in multiferroic BZT–BCT/FeCo thin films; Journal of Materials Science: Materials in Electronics; (2018) 29:4786–4790

【6】 Zhi Tao, Fei Che, Yemei Han*, Fang Wang, Zhengchun Yang, Wen Qi, Ying Wu, Kailiang Zhang; Out-of-plane and In-plane piezoelectric behaviors of [Ba(Zr_0.2Ti_0.8) O₃]–0.5(Ba_0.7Ca_0.3TiO₃) thin films; Progress in Natural Science: Materials International; 27 (2017) 664–668

【7】 Yemei Han*, Fang Wang,  Kailiang Zhang; A novel magnetoelectric memory cell based on bilayer ferroelectric films of (1-x)[Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O₃]– x(Ba_0.7Ca_0.3TiO₃); Journal of Materials Science: Materials in Electronics,J Mater Sci: Mater Electron ; (2016) 27:7374–7378

【8】 Yemei Han*, Fang Wang, Kailiang Zhang*, Jinshi Zhao, Yujie Yuan, Yinping Miao, Zhengchun Yang, Wei Mi, and Yupeng Xing; Electric Field Control of Magnetism in 0.7[Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O₃]–0.3(Ba_0.7Ca_0.3TiO₃)–Fe₇₀Ga₃₀ Films; Nanoscience and Nanotechnology Letters; 2016, 9:1-3

【9】 Magnetoelectric Relaxation in Rhombohedral LiNbO3-CoFe2O4 Yemei Han,Yueying Liu, Peter Zavalij, Lourdes Salamanca-Riba, Elizabeth Cantando, Richard Bergstrom Jr.,Lingxia Li, Manfred Wuttig Applied Physics Letters; 2012, 100: 262907, 1-3

【10】 Resonance Magnetoelectric Effect in NaNbO3-NiFe2O4 Composite Yemei Han, Lingxia Li, Zhi Wang, Dong Guo, Mingming Zhang Journal of the American Ceramic Society 2013, 96:  358–360

授权专利

【1】韩叶梅，王芳，张楷亮，弭伟，曹荣荣，张志超，一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元及其制备方法， 201610119183.8，中国发明专利

【2】韩叶梅，王芳，张楷亮，曹荣荣，具有压电增强效应的基于BZT-BCT的双层铁电薄膜，201610118909.6，中国发明专利